(0)
Изображение служит лишь для справки
APT35GP120B2DF2
-
Microsemi Corporation
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- -
- Insulated Gate Bipolar Transistor, 96A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：MICROSEMI CORP
- Описание пакета：,
- Температура работы-Макс：150 °C
- Код ECCN：EAR99
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：3
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальная потеря мощности (абс.)：543 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：96 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：1200 V
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20 V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：6 V
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
