(0)
Изображение служит лишь для справки
1N65L-TA3-T
-
Unisonic Technologies Co Ltd
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 650V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
- Код упаковки компонента：TO-220AB
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Максимальный ток утечки (ID)：1.2 A
- Количество элементов：1
- Температура работы-Макс：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Время отключения макс. (toff)：85 ns
- Время включения макс. (ton)：80 ns
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Сопротивление открытого канала-макс：12.5 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：4.8 A
- Минимальная напряжённость разрушения：650 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：50 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：40 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：4 pF
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
