Изображение служит лишь для справки






DIM50CHS12-E000
-
Dynex Semiconductor
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- -
- Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, C, 7 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:7
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Contact Manufacturer
- Производитель IHS:DYNEX SEMICONDUCTOR LTD
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
- Количество элементов:2
- Материал корпуса пакета:UNSPECIFIED
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Время отключения (toff):850 ns
- Время включения (тон):300 ns
- Безоловая кодировка:Yes
- Код ECCN:EAR99
- Дополнительная Характеристика:LOW CONDUCTION LOSS
- Положение терминала:UPPER
- Форма вывода:UNSPECIFIED
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Число контактов:7
- Код JESD-30:R-XUFM-X7
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Сокетная связка:ISOLATED
- Применение транзистора:POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Максимальный ток коллектора (IC):50 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:1200 V
Со склада 0
Итого $0.00000