Изображение служит лишь для справки






UTT6N10G-AA3-R
-
Unisonic Technologies Co Ltd
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
Date Sheet
Lagernummer 25000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3
- Максимальный ток утечки (ID):6 A
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Код соответствия REACH:compliant
- Код JESD-30:R-PSSO-G3
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.175 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:24 A
- Минимальная напряжённость разрушения:100 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):8 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss):15 pF
Со склада 25000
Итого $0.00000