(0)
Изображение служит лишь для справки
PBMB150B12
-
KYOCERA Corporation
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- -
- Description: Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-14
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：KYOCERA CORP
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X8
- Количество элементов：4
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Время отключения (toff)：800 ns
- Время включения (тон)：400 ns
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-XUFM-X8
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Сокетная связка：ISOLATED
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальная потеря мощности (абс.)：730 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：150 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：1200 V
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20 V
- Максимальное напряжение на выходе：2.4 V
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
