(0)
Изображение служит лишь для справки
2SK1861
-
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 150V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, EPACK-3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Рохс Код：No
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO LTD
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Максимальный ток утечки (ID)：4 A
- Уровни чувствительности к влажности：2
- Количество элементов：1
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Время отключения макс. (toff)：121 ns
- Время включения макс. (ton)：57 ns
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN LEAD
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：240
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.6 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：150 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：10 W
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：10 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
