Изображение служит лишь для справки






UT8205AG-AG6-R
-
Unisonic Technologies Co Ltd
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE PACKAGE-6
Date Sheet
Lagernummer 30000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:6
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
- Максимальный ток утечки (ID):6 A
- Количество элементов:2
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Число контактов:6
- Код JESD-30:R-PDSO-G6
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.028 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:20 A
- Минимальная напряжённость разрушения:20 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Обратная ёмкость-Макс (Crss):73 pF
Со склада 30000
Итого $0.00000