Изображение служит лишь для справки






APT110GL100JN
-
Advanced Power Technology
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- -
- Insulated Gate Bipolar Transistor, 110A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, ISOTOP-4
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:4
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
- Количество элементов:1
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Код ECCN:EAR99
- Дополнительная Характеристика:LOW CONDUCTION LOSS
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
- Положение терминала:UPPER
- Форма вывода:UNSPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:R-PUFM-X4
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Сокетная связка:ISOLATED
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Максимальный ток коллектора (IC):110 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:1000 V
- Максимальное напряжение на выходе:3 V
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды:415 W
Со склада 0
Итого $0.00000