(0)
Изображение служит лишь для справки
ZXTN5551GTC
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- -
- Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Not Recommended
- Производитель IHS：DIODES INC
- Код упаковки компонента：SOT-223
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Количество элементов：1
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Траниционный частотный предел (fT)：130 MHz
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：MATTE TIN
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Число контактов：4
- Код JESD-30：R-PDSO-G4
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：NPN
- Максимальная потеря мощности (абс.)：2 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.6 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：30
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：160 V
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
