Изображение служит лишь для справки






UT3N01ZG-AN3-R
-
Unisonic Technologies Co Ltd
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE PACKAGE-3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
- Описание пакета:HALOGEN FREE PACKAGE-3
- Максимальный ток утечки (ID):0.15 A
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:85 °C
- Минимальная температура работы:-40 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:2 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения:30 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):0.15 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss):5.4 pF
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды:0.15 W
Со склада 0
Итого $0.00000