(0)
Изображение служит лишь для справки
NVMYS4D6N06CTWG
-
onsemi
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power MOSFET 60 V, 4.7 mΩ, 92?A, Single N-Channel NVMYS4D6N06CTWG, 3000-REEL, Automotive Qualified
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：4 Weeks
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Код цикла жизни компонента：Active
- Код упаковки производителя：760AB
- Максимальный ток утечки (ID)：92 A
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Количество элементов：1
- Температура работы-Макс：175 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：Yes
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - annealed
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Нормативная Марка：AEC-Q101
- Код JESD-30：R-PSSO-G4
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0047 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：565 A
- Минимальная напряжённость разрушения：60 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：524 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：79.5 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：7 pF
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
