Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные MMDT5114W
Изображение служит лишь для справки






MMDT5114W
Lagernummer 32
- 1+: $0.03584
- 10+: $0.03381
- 100+: $0.03189
- 500+: $0.03009
- 1000+: $0.02838
Zwischensummenbetrag $0.03584
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SC-70, SOT-323
- Поставщик упаковки устройства:SOT-323
- Максимальный коллекторный ток (Ic):100 mA
- Пакетирование:Bulk
- Состояние изделия:Active
- Мощность - Макс:200 mW
- Тип транзистора:PNP - Pre-Biased
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):100nA (ICBO)
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):50 V
- Частота - Переход:250 MHz
- База (R1):10 kOhms
- Резистор - Эмиттер-База (R2):47 kOhms
Со склада 32
- 1+: $0.03584
- 10+: $0.03381
- 100+: $0.03189
- 500+: $0.03009
- 1000+: $0.02838
Итого $0.03584