(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные GAN190-650EBEZ
Изображение служит лишь для справки
GAN190-650EBEZ
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-VDFN Exposed Pad
- 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Date Sheet
Lagernummer 6000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount, Wettable Flank
- Корпус / Кейс：8-VDFN Exposed Pad
- Поставщик упаковки устройства：DFN8080-8
- Mfr：Nexperia USA Inc.
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：11.5A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V
- Максимальная мощность рассеяния：125W (Tc)
- Основной номер продукта：GAN190
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Состояние изделия：Active
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：190mOhm @ 3.9A, 6V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 12.2mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：96 pF @ 400 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：2.8 nC @ 6 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：650 V
- Угол настройки (макс.)：+7V, -1.4V
Со склада 6000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
