(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SVF1N60B
Изображение служит лишь для справки
SVF1N60B
-
Hangzhou Silan Microelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 600V 1A 11Ω@10V,500mA 9W 4V@250uA 1 N-Channel TO-92-2.5mm MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：600V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：11Ω@10V,500mA
- Power Dissipation (Pd)：9W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：4V@250uA
- Пакет：Box-packed
- Тип：1 N-Channel
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
