(0)
Изображение служит лишь для справки
SQJ872EP-T1_GE3
-
Vishay Intertechnologies
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 24.5A I(D), 150V, 0.0355ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8L, 4 PIN
Date Sheet
Lagernummer 3000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：25 Weeks
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета：SO-8L, 4 PIN
- Максимальный ток утечки (ID)：24.5 A
- Температура работы-Макс：175 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Время отключения макс. (toff)：60 ns
- Время включения макс. (ton)：30 ns
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：unknown
- Нормативная Марка：AEC-Q101
- Код JESD-30：R-PSSO-G4
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0355 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：90 A
- Минимальная напряжённость разрушения：150 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：45 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：35 pF
Со склада 3000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
