(0)
Изображение служит лишь для справки
APT10050JN
-
Advanced Power Technology
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 20.5A I(D), 1000V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOTOP-4
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC
- Описание пакета：ISOTOP-4
- Максимальный ток утечки (ID)：20.5 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Время отключения макс. (toff)：105 ns
- Время включения макс. (ton)：60 ns
- Код ECCN：EAR99
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Нормативная Марка：UL RECOGNIZED
- Код JESD-30：R-PUFM-X4
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：ISOLATED
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.5 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：82 A
- Минимальная напряжённость разрушения：1000 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：520 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：350 pF
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：520 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
