(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные HYG065N15NS1B6
Изображение служит лишь для справки
HYG065N15NS1B6
-
HUAYI
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 150V 165A 6mΩ@10V,100A 375W 3.2V@250uA 1 N-Channel TO-263-6 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 9
- 1+： $1.02988
- 10+： $0.97159
- 100+： $0.91659
- 500+： $0.86471
- 1000+： $0.81576
Zwischensummenbetrag $1.02988
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：150V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：6mΩ@10V,100A
- Power Dissipation (Pd)：375W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：3.2V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：88pF@75V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：6.646nF@75V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：96nC@10V
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Тип：1 N-Channel
Со склада 9
- 1+： $1.02988
- 10+： $0.97159
- 100+： $0.91659
- 500+： $0.86471
- 1000+： $0.81576
Итого $1.02988
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
