(0)
Изображение служит лишь для справки
IRF7207TRPBF
-
International Rectifier
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 20V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- Код упаковки компонента：SOT
- Описание пакета：SO-8
- Максимальный ток утечки (ID)：5.4 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Type of inductor：film
- Монтаж：SMD
- Case - inch：01005
- Case - mm：0402
- Текущий ток：0.36A
- Resonant frequency：9.4GHz
- Допуск：±0,2nH
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Сопротивление：0.24Ω
- Конечная обработка контакта：MATTE TIN
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Число контактов：8
- Код JESD-30：R-PDSO-G8
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Индуктивность：3.4nH
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.06 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：43 A
- Минимальная напряжённость разрушения：20 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：140 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：2.5 W
- Ток насыщения：1
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
