(0)
Изображение служит лишь для справки
TK32E12N1
-
Toshiba America Electronic Components
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
Date Sheet
Lagernummer 1040
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：TOSHIBA CORP
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Максимальный ток утечки (ID)：32 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0138 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：110 A
- Минимальная напряжённость разрушения：120 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：48 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：98 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：13 pF
Со склада 1040
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
