(0)
Изображение служит лишь для справки
SZESD8551N2T5G
-
onsemi
-
Диоды - Зенеры - Одинарные
- -
- Low Capacitance ESD Protection Diode for High Speed Data Line AEC-Q101.revD Qualified, 8000-REEL, Automotive Qualified
Date Sheet
Lagernummer 24000
- 1+： $0.40816
- 10+： $0.38505
- 100+： $0.36326
- 500+： $0.34270
- 1000+： $0.32330
Zwischensummenbetrag $0.40816
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：9 Weeks
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал диодного элемента：SILICON
- Количество терминалов：2
- Материал наружного корпуса：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ON SEMICONDUCTOR
- Описание пакета：R-PBCC-N2
- Код упаковки производителя：714AB
- Температура работы-Макс：125 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：CHIP CARRIER
- Type of connector：pin strips
- Соединитель：socket
- Kind of connector：female
- Spatial orientation：straight
- Contacts pitch：2.54mm
- Electrical mounting：THT
- Connector pinout layout：1x11
- Код JESD-609：e4
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Дополнительная Характеристика：LOW CAPACITANCE
- Код ТН ВЭД：8541.10.00.50
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Нормативная Марка：AEC-Q101; IEC-61000-4-2
- Код JESD-30：R-PBCC-N2
- Направленность：BIDIRECTIONAL
- Конфигурация：SINGLE
- Тип диода：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
- Максимальное обратное напряжение：3.3 V
- Минимальная напряжение разрушения：5.5 V
- Максимальная напряжённость разрушения：8.3 V
- Профиль：beryllium copper
- Ток насыщения：1
Со склада 24000
- 1+： $0.40816
- 10+： $0.38505
- 100+： $0.36326
- 500+： $0.34270
- 1000+： $0.32330
Итого $0.40816
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
