(0)
Изображение служит лишь для справки
TK11S10N1L
Lagernummer 35000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：TOSHIBA CORP
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Максимальный ток утечки (ID)：11 A
- Температура работы-Макс：175 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Type of connector：pin strips
- Соединитель：socket
- Kind of connector：female
- Spatial orientation：straight
- Contacts pitch：2.54mm
- Electrical mounting：THT
- Connector pinout layout：2x42
- Row pitch：2.54mm
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：unknown
- Нормативная Марка：AEC-Q101
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.05 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：33 A
- Минимальная напряжённость разрушения：100 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：33.8 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：65 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：67 pF
- Профиль：beryllium copper
Со склада 35000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
