Изображение служит лишь для справки






SQJA20EP-T1_GE3
-
Vishay Intertechnologies
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 22.5A I(D), 200V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8L, 4 PIN
Date Sheet
Lagernummer 9520
- 1+: $0.89897
- 10+: $0.84809
- 100+: $0.80008
- 500+: $0.75480
- 1000+: $0.71207
Zwischensummenbetrag $0.89897
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:25 Weeks
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал:silicone
- Количество терминалов:4
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
- Date Of Intro:2020-05-20
- Максимальный ток утечки (ID):22.5 A
- Температура работы-Макс:175 °C
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Время отключения макс. (toff):65 ns
- Время включения макс. (ton):35 ns
- Type of enclosures accessories:case ring
- Enclosure series:LC
- Related items:TKC-LC145H,
- Frame colour:red
- Quantity in set/package:2pcs.
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Код соответствия REACH:unknown
- Нормативная Марка:AEC-Q101
- Код JESD-30:R-PSSO-G4
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.05 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:82 A
- Минимальная напряжённость разрушения:200 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):16 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):68 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss):55 pF
Со склада 9520
- 1+: $0.89897
- 10+: $0.84809
- 100+: $0.80008
- 500+: $0.75480
- 1000+: $0.71207
Итого $0.89897