Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

SIA461DJ-T1-GE3

Lagernummer 3000

  • 1+: $0.31041
  • 10+: $0.29284
  • 100+: $0.27627
  • 500+: $0.26063
  • 1000+: $0.24588

Zwischensummenbetrag $0.31041

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Срок поставки от производителя:16 Weeks
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Количество терминалов:3
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Материал наружного корпуса:1
  • Сборный ток:100A
  • Case:SEMITRANS2
  • Type of module:IGBT
  • Semiconductor structure:transistor/transistor
  • Max. off-state voltage:1.7kV
  • Electrical mounting:FASTON connectors,
  • Gate-emitter voltage:±20V
  • Pulsed collector current:300A
  • Mechanical mounting:screw
  • Рохс Код:Yes
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Описание пакета:HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, SC-70, POWERPAK-6
  • Максимальный ток утечки (ID):12 A
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Форма упаковки:SQUARE
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Код JESD-609:e3
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn) - annealed
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:NO LEAD
  • Температура пайки (пиковая) (°C):260
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
  • Код JESD-30:S-PDSO-N3
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:DRAIN
  • Топология:IGBT half-bridge
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.033 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:20 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:20 V
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Количество контактов в 2-м разъёме, заряженных:for UPS,
  • Ток насыщения:1

Со склада 3000

  • 1+: $0.31041
  • 10+: $0.29284
  • 100+: $0.27627
  • 500+: $0.26063
  • 1000+: $0.24588

Итого $0.31041