(0)
Изображение служит лишь для справки
KSD880-Y
-
Samsung Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- -
- Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
- Код упаковки компонента：SFM
- Описание пакета：TO-220, 3 PIN
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Траниционный частотный предел (fT)：3 MHz
- Type of module：IGBT
- Semiconductor structure：single transistor
- Max. off-state voltage：1.2kV
- Сборный ток：900A
- Case：SEMITRANS4
- Electrical mounting：screw
- Gate-emitter voltage：±20V
- Pulsed collector current：2.7kA
- Mechanical mounting：screw
- Код ECCN：EAR99
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：NPN
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Максимальный ток коллектора (IC)：3 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：100
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：60 V
- Максимальное напряжение на выходе：1 V
- Количество контактов в 2-м разъёме, заряженных：for UPS,
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：30 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
