
Изображение служит лишь для справки






IRFL214TRPBF
-
Vishay Intertechnologies
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Small Signal Field-Effect Transistor, 0.79A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4
Date Sheet
Lagernummer 23
- 1+: $0.57127
- 10+: $0.53893
- 100+: $0.50843
- 500+: $0.47965
- 1000+: $0.45250
Zwischensummenbetrag $0.57127
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:18 Weeks, 1 Day
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:4
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:End Of Life
- Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Код упаковки компонента:TO-261AA
- Описание пакета:ROHS COMPLIANT PACKAGE-4
- Максимальный ток утечки (ID):0.79 A
- Температура работы-Макс:150 °C
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:Yes
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:MATTE TIN
- Дополнительная Характеристика:AVALANCHE RATED
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:4
- Код JESD-30:R-PDSO-G4
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-261AA
- Сопротивление открытого канала-макс:2 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:6.3 A
- Минимальная напряжённость разрушения:250 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):50 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):3.1 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss):9.6 pF
- Ток насыщения:1
Со склада 23
- 1+: $0.57127
- 10+: $0.53893
- 100+: $0.50843
- 500+: $0.47965
- 1000+: $0.45250
Итого $0.57127