(0)
Изображение служит лишь для справки
SIZF914DT-T1-GE3
-
Vishay Intertechnologies
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor,
Date Sheet
Lagernummer 57000
- 1+： $0.47411
- 10+： $0.44728
- 100+： $0.42196
- 500+： $0.39807
- 1000+： $0.37554
Zwischensummenbetrag $0.47411
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：20 Weeks
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：2
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Максимальный ток утечки (ID)：40 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Время отключения макс. (toff)：50 ns
- Время включения макс. (ton)：140 ns
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PDSO-N8
- Конфигурация：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：SOURCE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0038 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：130 A
- Минимальная напряжённость разрушения：25 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：20 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：26.6 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：47 pF
Со склада 57000
- 1+： $0.47411
- 10+： $0.44728
- 100+： $0.42196
- 500+： $0.39807
- 1000+： $0.37554
Итого $0.47411
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
