Изображение служит лишь для справки






NTD12N10T4G
-
Rochester Electronics LLC
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- 12A, 100V, 0.165ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LAED FREE, CASE 369C-01, DPAK-3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Описание пакета:LAED FREE, CASE 369C-01, DPAK-3
- Код упаковки производителя:CASE 369C-01
- Максимальный ток утечки (ID):12 A
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:Yes
- Конечная обработка контакта:MATTE TIN
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус:COMMERCIAL
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.165 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:36 A
- Минимальная напряжённость разрушения:100 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):75 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000