(0)
Изображение служит лишь для справки
NDT3055L
-
National Semiconductor Corporation
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：No
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
- Максимальный ток утечки (ID)：3.7 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Время отключения макс. (toff)：70 ns
- Время включения макс. (ton)：40 ns
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Дополнительная Характеристика：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-PDSO-G4
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-261
- Сопротивление открытого канала-макс：0.12 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：25 A
- Минимальная напряжённость разрушения：60 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：3 W
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：1.1 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
