Изображение служит лишь для справки






QM3016M3
-
UPI Semiconductor Corp
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 15.7A I(D), 30V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:8
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Описание:Antenna adapter - cable assembly
- Cable type:RG-174U
- Атenuация:0.15 dB/m
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Contact Manufacturer
- Производитель IHS:UPI SEMICONDUCTOR CORP
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, S-PDSO-F8
- Максимальный ток утечки (ID):15.7 A
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:SQUARE
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Код JESD-30:S-PDSO-F8
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Импеданс:50 Ohm
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.004 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:160 A
- Минимальная напряжённость разрушения:30 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):317 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000