(0)
Изображение служит лишь для справки
PHN210
-
Nexperia
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：2
- Gross Weight：38.50
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：NEXPERIA
- Описание пакета：SO-8
- Date Of Intro：2017-02-01
- Максимальный ток утечки (ID)：3.4 A
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Код JESD-609：e4
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：NICKEL PALLADIUM GOLD
- Дополнительная Характеристика：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-PDSO-G8
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：MS-012AA
- Сопротивление открытого канала-макс：0.1 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：14 A
- Минимальная напряжённость разрушения：30 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：13 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
