(0)
Изображение служит лишь для справки
IRL8113
-
International Rectifier
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Материал：brass
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：No
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- Код упаковки компонента：TO-220AB
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Максимальный ток утечки (ID)：42 A
- Температура работы-Макс：175 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Имя：hexagonal mounting standoff for PCB
- Нить：M3x0.5 mm
- Характеристика：screw - nut
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN LEAD
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Глубина：total - 20; standoff - 15 mm
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Сопротивление открытого канала-макс：0.006 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：420 A
- Минимальная напряжённость разрушения：30 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：220 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：110 W
- Длина：threaded part shaft / hole ~ 5/ 5 mm
- Диаметр：~5 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
