(0)
Изображение служит лишь для справки
SIHG30N60E-GE3
-
Vishay Intertechnologies
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
Date Sheet
Lagernummer 12285
- 1+： $3.02239
- 10+： $2.85131
- 100+： $2.68992
- 500+： $2.53766
- 1000+： $2.39402
Zwischensummenbetrag $3.02239
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Максимальный ток утечки (ID)：29 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-247AC
- Сопротивление открытого канала-макс：0.125 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：65 A
- Минимальная напряжённость разрушения：600 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：690 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：250 W
Со склада 12285
- 1+： $3.02239
- 10+： $2.85131
- 100+： $2.68992
- 500+： $2.53766
- 1000+： $2.39402
Итого $3.02239
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
