(0)
Изображение служит лишь для справки
SI3417DV-T1-GE3
-
Vishay Intertechnologies
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MO-193C, TSOP-6
Date Sheet
Lagernummer 636000
- 1+： $0.24586
- 10+： $0.23194
- 100+： $0.21881
- 500+： $0.20643
- 1000+： $0.19474
Zwischensummenbetrag $0.24586
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：18 Weeks
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал：polyolefin
- Количество терминалов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Diameter before shrinkage：120 mm
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета：MO-193C, TSOP-6
- Максимальный ток утечки (ID)：8 A
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Пакетирование：supplied in packs in multiples of 1.0 m
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Тип：Heat shrinkable tube with adhesive layer
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Цвет：black
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PDSO-G6
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Код JEDEC-95：MO-193AA
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0252 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：30 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Ток насыщения：1
- Длина：1000 mm
Со склада 636000
- 1+： $0.24586
- 10+： $0.23194
- 100+： $0.21881
- 500+： $0.20643
- 1000+： $0.19474
Итого $0.24586
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
