(0)
Изображение служит лишь для справки
IRF7301TR
-
Infineon Technologies AG
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA,
Date Sheet
Lagernummer 2160
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Вес：0.2 kg
- Количество терминалов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：2
- Gross Weight：215.00
- Equivalent：POS40
- Температура припоя：285...330 °C
- Рохс Код：No
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Максимальный ток утечки (ID)：4.3 A
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Пакетирование：coil
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Тип：Soft Tin-Lead Solder Sn/Pb
- Конечная обработка контакта：MATTE TIN
- Состав：tin - 40%; lead - 60%
- Дополнительная Характеристика：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PDSO-G8
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：MS-012AA
- Сопротивление открытого канала-макс：0.05 Ω
- Проектирование：wire
- Минимальная напряжённость разрушения：20 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Ток насыщения：2
- Диаметр：2 mm
Со склада 2160
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
