(0)
Изображение служит лишь для справки
SUD08P06-155L-GE3
-
Vishay Intertechnologies
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 60V, 0.155ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
Date Sheet
Lagernummer 50000
- 1+： $0.68527
- 10+： $0.64648
- 100+： $0.60989
- 500+： $0.57537
- 1000+： $0.54280
Zwischensummenbetrag $0.68527
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：13 Weeks
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Код упаковки компонента：TO-252
- Описание пакета：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
- Максимальный ток утечки (ID)：8.2 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - annealed
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Число контактов：4
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-252
- Сопротивление открытого канала-макс：0.155 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：18 A
- Минимальная напряжённость разрушения：60 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：7.2 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：20.8 W
- Ток насыщения：1
Со склада 50000
- 1+： $0.68527
- 10+： $0.64648
- 100+： $0.60989
- 500+： $0.57537
- 1000+： $0.54280
Итого $0.68527
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
