Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

SI7430DP-T1-E3

Lagernummer 457

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Количество терминалов:5
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Материал наружного корпуса:1
  • Рохс Код:Yes
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Описание пакета:ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8
  • Максимальный ток утечки (ID):7.2 A
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Материал корпуса пакета:UNSPECIFIED
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Application area:for cars, motorcycles, boats, etc.
  • Номинальное напряжение:12 / 24 V
  • Максимальный ток:15/ 10 (12 V/ 24 V) A
  • Size of mounting hole:26 mm
  • Код JESD-609:e3
  • Код ECCN:EAR99
  • Тип:Socket (plug) with cover
  • Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn) - annealed
  • Цвет:metallic/black
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:C BEND
  • Температура пайки (пиковая) (°C):260
  • Глубина:60 mm
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
  • Код JESD-30:R-XDSO-C5
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:DRAIN
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.047 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:50 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:150 V
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):20 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):64 W
  • Ток насыщения:1
  • Ширина:Ф26 mm

Со склада 457

Итого $0.00000