Изображение служит лишь для справки






BAV102-GS18
-
Vishay Semiconductors
-
Диоды - РЧ
- -
- Description: BAV100, BAV101, BAV102, BAV103 Small Signal Switching Diodes, High Voltage
Date Sheet
Lagernummer 692
- 1+: $0.13142
- 10+: $0.12398
- 100+: $0.11697
- 500+: $0.11035
- 1000+: $0.10410
Zwischensummenbetrag $0.13142
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал корпуса:nickel-plated brass
- Материал диодного элемента:SILICON
- Количество терминалов:2
- Материал наружного корпуса:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:VISHAY SEMICONDUCTORS
- Код упаковки компонента:DO-213AA
- Описание пакета:O-LELF-R2
- Максимальное напряжение включения:1 V
- Температура работы-Макс:175 °C
- Материал корпуса пакета:GLASS
- Форма упаковки:ROUND
- Форма упаковки:LONG FORM
- Gross Weight:30.19
- Transport Package Size/Quantity:62*27.5*28/160
- Тип эмиттера:point round
- Teral Type:2S (screw)min
- Mounting Diameter:22 mm
- Код JESD-609:e2
- Безоловая кодировка:Yes
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Silver (Sn97.5Ag2.5)
- Цвет:red
- Код ТН ВЭД:8541.10.00.70
- Положение терминала:END
- Форма вывода:WRAP AROUND
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Число контактов:2
- Код JESD-30:O-LELF-R2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Тип диода:RECTIFIER DIODE
- Сокетная связка:ISOLATED
- Выводная мощность-макс:0.25 A
- Количество фаз:1
- Номинальный ток:15 mA
- Максимальное обратное напряжение:200 V
- Максимальная прямая сила тока в пакете:1 A
- Максимальный обратный ток:15 μA
- Номинальное напряжение:3-36 V
- Минимальная напряжение разрушения:200 V
- Время обратной восстановительной максимальная:0.05 μs
- Обратная тестовая напряжение:150 V
- Диапазон выхода:0.5 W
- Количество контактов в 2-м разъёме, заряженных:HIGH VOLTAGE
- Ток насыщения:1
Со склада 692
- 1+: $0.13142
- 10+: $0.12398
- 100+: $0.11697
- 500+: $0.11035
- 1000+: $0.10410
Итого $0.13142