(0)
Изображение служит лишь для справки
SI2392ADS-T1-GE3
-
Vishay Intertechnologies
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Small Signal Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 3000
- 1+： $0.58936
- 10+： $0.55600
- 100+： $0.52453
- 500+： $0.49484
- 1000+： $0.46683
Zwischensummenbetrag $0.58936
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：28 Weeks
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Type of transistor：N-MOSFET
- Polarisation：unipolar
- Монтаж：SMD
- Kind of channel：enhanced
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета：TO-236, SOT-23, 3 PIN
- Максимальный ток утечки (ID)：3.1 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-236AB
- Сопротивление открытого канала-макс：0.126 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：100 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：2.5 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：14 pF
- Ток насыщения：1
Со склада 3000
- 1+： $0.58936
- 10+： $0.55600
- 100+： $0.52453
- 500+： $0.49484
- 1000+： $0.46683
Итого $0.58936
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
