(0)
Изображение служит лишь для справки
SQJ868EP-T1_GE3
-
Vishay Intertechnologies
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Power Field-Effect Transistor,
Date Sheet
Lagernummer 1698
- 1+： $0.52823
- 10+： $0.49833
- 100+： $0.47012
- 500+： $0.44351
- 1000+： $0.41841
Zwischensummenbetrag $0.52823
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：20 Weeks
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета：,
- Date Of Intro：2016-07-19
- Максимальный ток утечки (ID)：58 A
- Температура работы-Макс：175 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Время отключения макс. (toff)：52 ns
- Время включения макс. (ton)：29 ns
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Нормативная Марка：AEC-Q101
- Код JESD-30：R-PSSO-G4
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.00735 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：230 A
- Минимальная напряжённость разрушения：40 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：61 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：48 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：140 pF
Со склада 1698
- 1+： $0.52823
- 10+： $0.49833
- 100+： $0.47012
- 500+： $0.44351
- 1000+： $0.41841
Итого $0.52823
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
