(0)
Изображение служит лишь для справки
IRF540NLPBF
-
International Rectifier
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- Код упаковки компонента：TO-262AA
- Описание пакета：IN-LINE, R-PSIP-T3
- Максимальный ток утечки (ID)：33 A
- Температура работы-Макс：175 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：IN-LINE
- Описание：DC-DC boost converter (10...32/ 12...35 V)
- Protection：from input polarity reversal
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Тип соединителя：screw type
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Глубина：65 mm
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Частота：conversion - 150 kHz
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSIP-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Коэффициент эффективности：up to 94 %
- Выводной напряжение：12…35 (adjustable or fixed) V
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Ток выпуска：10 A
- Сокетная связка：DRAIN
- Постоянный ток покоя：25 mA not more
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Диапазон рабочей температуры：-40 …+80 (T~45 °C at U=19 B/ I=3.42 A) °C
- Код JEDEC-95：TO-262AA
- Сопротивление открытого канала-макс：0.044 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：110 A
- Минимальная напряжённость разрушения：100 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：185 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：130 W
- Мощность：100 (150 with forced cooling) W
- Ток насыщения：1
- Входной напряжений：10…32 V
- Модульный тип：DC-DC boost
- Высота：23 mm
- Ширина：56.5 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
