(0)
Изображение служит лишь для справки
HUF76121D3ST
-
Harris Semiconductor
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：HARRIS SEMICONDUCTOR
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Максимальный ток утечки (ID)：20 A
- Number of terals：2, blade terminal 6.3 mm non-insulatedmin
- Wire cross-section：0.3…0.85 mm2
- Noal voltage：12/24 (DC) Vmin
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код ECCN：EAR99
- Тип：connector (socket) series 7022
- Дополнительная Характеристика：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Глубина：25 mm
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-252AA
- Сопротивление открытого канала-макс：0.033 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：30 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Высота：18.5 (body) mm
- Ширина：10 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
