NTB30N06G

Name: ON Semiconductor NTB30N06G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 5 (10 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
Date Sheet

Lagernummer 414

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：27A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：88.2W Tc
Время отключения：24 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2005
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный：60V
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：27A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：88.2W
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：42m Ω @ 15A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1200pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：46nC @ 10V
Время подъема：36ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：31 ns
Непрерывный ток стока (ID)：27A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Сопротивление открытого канала-макс：0.042Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：60V
Максимальный импульсный ток вывода：80A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：101 mJ
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 414

Итого $0.00000