(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF7521D1PBF
Изображение служит лишь для справки
IRF7521D1PBF
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
- 20V FETKY - MOSFET AND SCHOTTKY DIODE IN A MICRO 8
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
- Количество контактов：8
- Поставщик упаковки устройства：Micro8™
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：2.4A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：2.7V 4.5V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：1.3W Ta
- Время отключения：15 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：FETKY™
- Опубликовано：2004
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Распад мощности：1.25W
- Время задержки включения：5.7 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：135mOhm @ 1.7A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：700mV @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：260pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：8nC @ 4.5V
- Время подъема：24ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Угол настройки (макс.)：±12V
- Время падения (тип)：16 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：2.4A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12V
- Напряжение пробоя стока к истоку：20V
- Входной ёмкости：260pF
- Характеристика ТРП：Schottky Diode (Isolated)
- Сопротивление стока к истоку：135mOhm
- Rds на макс.：135 mΩ
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
