(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRFI744GPBF
Изображение служит лишь для справки
IRFI744GPBF
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
- VISHAY IRFI744GPBF MOSFET Transistor, N Channel, 4.9 A, 450 V, 630 mohm, 10 V, 4 V
Date Sheet
Lagernummer 20000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
- Количество контактов：3
- Поставщик упаковки устройства：TO-220-3
- Вес：6.000006g
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.9A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：40W Tc
- Время отключения：58 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Опубликовано：1997
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Каналов количество：1
- Конфигурация элемента：Single
- Время задержки включения：8.7 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：630mOhm @ 2.9A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1400pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：80nC @ 10V
- Время подъема：28ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：450V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：27 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：4.9A
- Пороговое напряжение：4V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Входной ёмкости：1.4nF
- Сопротивление стока к истоку：630mOhm
- Rds на макс.：630 mΩ
- Высота：9.8mm
- Длина：10.63mm
- Ширина：4.83mm
- REACH SVHC：Unknown
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 20000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
