(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRFL4105PBF
Изображение служит лишь для справки
IRFL4105PBF
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-261-4, TO-261AA
- Mosfet, Power; N-ch; Vdss 55V; Rds(on) 0.045 Ohm; Id 3.7A; SOT-223; Pd 1W; Vgs +/-20V
Date Sheet
Lagernummer 312
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-261-4, TO-261AA
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3.7A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：1W Ta
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：HEXFET®
- Опубликовано：1999
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Discontinued
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：4
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PDSO-G4
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：45m Ω @ 3.7A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：660pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：35nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：55V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Максимальный сливовой ток (ID)：3.7A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.045Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения：55V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 312
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
