(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRLR014NPBF
Изображение служит лишь для справки
IRLR014NPBF
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
Date Sheet
Lagernummer 675
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество контактов：4
- Поставщик упаковки устройства：D-Pak
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：10A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：28W Tc
- Время отключения：12 ns
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：HEXFET®
- Опубликовано：2004
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Сопротивление：140mOhm
- Максимальная рабочая температура：175°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Ток постоянного напряжения - номинальный：55V
- Моментальный ток：10A
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：28W
- Время задержки включения：6.5 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：140mOhm @ 6A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：265pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：7.9nC @ 5V
- Время подъема：47ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：55V
- Угол настройки (макс.)：±16V
- Время падения (тип)：23 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：10A
- Пороговое напряжение：1V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：16V
- Напряжение пробоя стока к истоку：55V
- Двухпитание напряжения：55V
- Входной ёмкости：265pF
- Сопротивление стока к истоку：140mOhm
- Rds на макс.：140 mΩ
- Номинальное Vgs：1 V
- REACH SVHC：No SVHC
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 675
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
