IRF3415SPBF

Name: Infineon Technologies IRF3415SPBF
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (14 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
In a Tube of 50, IRF3415SPBF N-Channel MOSFET, 43 A, 150 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon
Date Sheet

Lagernummer 160

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Поверхностный монтаж：YES
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：43A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：3.8W Ta 200W Tc
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：HEXFET®
Опубликовано：1998
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Discontinued
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：42m Ω @ 22A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2400pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：200nC @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)：150V
Угол настройки (макс.)：±20V
Максимальный сливовой ток (ID)：43A
Сопротивление открытого канала-макс：0.042Ohm
Максимальный импульсный ток вывода：150A
Минимальная напряжённость разрушения：150V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：590 mJ
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 160

Итого $0.00000