IRF1010EZSPBF

Name: Infineon Technologies IRF1010EZSPBF
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.7 (20 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Date Sheet

Lagernummer 52388

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Количество контактов：3
Поставщик упаковки устройства：D2PAK
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：75A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：140W Tc
Время отключения：38 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：HEXFET®
Опубликовано：2004
Состояние изделия：Discontinued
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Сопротивление：8.5MOhm
Максимальная рабочая температура：175°C
Минимальная температура работы：-55°C
Ток постоянного напряжения - номинальный：60V
Моментальный ток：75A
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：140W
Время задержки включения：19 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：8.5mOhm @ 51A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 100μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2810pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：86nC @ 10V
Время подъема：90ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：54 ns
Непрерывный ток стока (ID)：75A
Пороговое напряжение：4V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：60V
Двухпитание напряжения：60V
Входной ёмкости：2.81nF
Сопротивление стока к истоку：8.5mOhm
Rds на макс.：8.5 mΩ
Номинальное Vgs：4 V
Высота：4.826mm
Длина：10.668mm
Ширина：9.65mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 52388

Итого $0.00000