2N5116UB

Name: Microchip 2N5116UB
Brand: Microchip
Rating: 4.7 (6 reviews)

Microchip
Транзисторы - JFET
3-SMD, No Lead
Transistor JFET P-CH 30V 4-Pin UB
Date Sheet

Lagernummer 38

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：3-SMD, No Lead
Поверхностный монтаж：YES
Поставщик упаковки устройства：UB
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Пакет：Bulk
Mfr：Microchip Technology
Состояние продукта：Discontinued at Digi-Key
Описание пакета：SURFACE MOUNT PACKAGE-3
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：200 °C
Рохс Код：No
Артикул Производителя：2N5116UB
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Microsemi Corporation
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Ранг риска：1.63
Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
Серия：Military, MIL-PRF-19500
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN LEAD
Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
Подкатегория：FET General Purpose Small Signal
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：NO LEAD
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：3
Код JESD-30：R-CDSO-N3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE
Режим работы：DEPLETION MODE
Мощность - Макс：500 mW
Тип ТРВ：P-Channel
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：27pF @ 15V
Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：175 Ω
Минимальная напряжённость разрушения：30 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：JUNCTION
Максимальная потеря мощности (абс.)：0.5 W
Обратная ёмкость-Макс (Crss)：7 pF
Ток-отвод (Idss) @ Вдс (Vgs=0)：25 mA @ 15 V
Ток-отсечка (VGS off) @ Id：4 V @ 1 nA
Теперь：30 V
Сопротивление - RDS(на)：175 Ohms

Со склада 38

Итого $0.00000