Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 35

  • 1+: $33.38202
  • 10+: $31.49247
  • 100+: $29.70988
  • 500+: $28.02818
  • 1000+: $26.44168

Zwischensummenbetrag $33.38202

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Состояние жизненного цикла:Production (Last Updated: 2 months ago)
  • Покрытие контактов:Lead, Tin
  • Монтаж:Through Hole
  • Вид крепления:Through Hole
  • Корпус / Кейс:TO-78-6 Metal Can
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Поставщик упаковки устройства:TO-78-6
  • Количество терминалов:8
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Пакетная партия производителя:1
  • Производитель:Microchip
  • Бренд:Microchip Technology
  • РХОС:N
  • Пакет:Bulk
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):600mA
  • Основной номер продукта:2N5795
  • Mfr:Microchip Technology
  • Состояние продукта:Active
  • Форма упаковки:CYLINDRICAL
  • Материал корпуса пакета:METAL
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Температура работы-Макс:200 °C
  • Рохс Код:No
  • Траниционный частотный предел (fT):200 MHz
  • Артикул Производителя:2N5795
  • Время включения макс. (ton):50 ns
  • Форма упаковки:ROUND
  • Количество элементов:2
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:MICROSEMI CORP
  • Время отключения макс. (toff):140 ns
  • Ранг риска:5.23
  • Пакетирование:Bulk
  • Рабочая температура:-65°C ~ 175°C (TJ)
  • Серия:-
  • Код JESD-609:e0
  • Безоловая кодировка:No
  • Код ECCN:EAR99
  • Коэффициент температурной зависимости:600.0000 ppm/°C
  • Сопротивление:10 mOhm
  • Конечная обработка контакта:TIN LEAD
  • Максимальная рабочая температура:175 °C
  • Минимальная температура работы:-65 °C
  • Подкатегория:Transistors
  • Мощность рейтинга:2.0000 W
  • Максимальная потеря мощности:600 mW
  • Технология:Si
  • Положение терминала:BOTTOM
  • Форма вывода:WIRE
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Код JESD-30:O-MBCY-W8
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SEPARATE, 2 ELEMENTS
  • Мощность - Макс:600mW
  • Полярность/Тип канала:PNP
  • Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
  • Тип транзистора:2 PNP (Dual)
  • Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):60 V
  • Максимальный ток сбора:600 mA
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:40 @ 150mA, 10V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):10µA (ICBO)
  • Код JEDEC-95:TO-78
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:1.6V @ 50mA, 500mA
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):60V
  • Частота - Переход:-
  • Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):60 V
  • Номинальная точность резистора:1
  • Максимальный ток коллектора (IC):0.6 A
  • Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):40
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:60 V
  • Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT
  • Длина продукта:6.35
  • Ширина продукта:3.15

Со склада 35

  • 1+: $33.38202
  • 10+: $31.49247
  • 100+: $29.70988
  • 500+: $28.02818
  • 1000+: $26.44168

Итого $33.38202